Síntese e Transferência de Filmes de Grafeno em Escala de Wafer

Desenvolvemos métodos para produzir filmes de grafeno de alta qualidade em escala de wafer, com tamanho de até 3 polegadas sobre filmes de Ni e Cu sob pressão ambiente, e transferi-los para substratos arbitrários através da gravura instantânea de camadas metálicas. Também demonstramos as aplicações dos filmes de grafeno de grande área para a fabricação em lote de matrizes de transistores de efeito de campo (FET) e sensores de deformação esticáveis, mostrando desempenhos extraordinários. Os transistores apresentaram mobilidades de portadores (buracos e elétrons) do dispositivo de 1100 +/- 70 e 550 +/- 50 cm²/(V s) sob uma tensão de dreno de -0,75 V, respectivamente. O fator de gauge de piezorresistência do sensor de deformação foi aproximadamente 6,1. Esses métodos representam um passo significativo em direção à realização de dispositivos de grafeno em escala de wafer, bem como à aplicação em optoeletrônica, eletrônica flexível e esticável.