Síntese e Transferência de Filmes de Grafeno em Escala de Wafer

Desenvolvemos meios para produzir filmes de grafeno de alta qualidade em escala de wafer de até 3 polegadas em filmes de Ni e Cu sob pressão ambiente e transferi-los para substratos arbitrários através da gravação instantânea de camadas metálicas. Também demonstramos as aplicações dos filmes de grafeno de grande área para a fabricação em lote de matrizes de transistores de efeito de campo (FET) e gages de deformação elásticas, mostrando desempenhos extraordinários. Os transistores mostraram mobilidades de buracos e elétrons do dispositivo de 1100 +/- 70 e 550 +/- 50 cm(2)/(V s) a uma polarização de dreno de -0.75 V, respectivamente. O fator de gauge de piezoresistência do sensor de deformação foi aproximadamente 6.1. Esses métodos representam um passo significativo em direção à realização de dispositivos de grafeno em escala de wafer, bem como à aplicação em optoeletrônica, eletrônica flexível e elástica.