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Substratos de alumínio monocristalino (100), (110) e (111) foram totalmente desgasificados por aquecimento por bombardeio eletrônico em ultra-alto vácuo. Superfícies monocristalinas frescas foram preparadas por autoepítaxe nesses substratos e as funções de trabalho das superfícies foram determinadas fotoelétricamente. O efeito geral da deposição de um filme de alumínio no substrato foi reduzir a função de trabalho, mas o recozimento do filme a temperaturas entre 473 K e 573 K fez com que a função de trabalho retornasse a um valor constante, considerado característico da superfície ordenada. Superfícies de alumínio (100) também foram preparadas por epítaxe em cristais de cloreto de potássio. O efeito do bombardeio de íons de argônio em uma superfície de alumínio (110) em bloco é aumentar a função de trabalho em direção ao valor policristalino, mas o valor característico para a face (110) pode ser restaurado pelo recozimento do cristal. Existe uma relação linear entre a densidade de átomos na superfície e a função de trabalho para as três faces investigadas.
Eastment et al. (Sat,) estudaram essa questão.