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Apresenta-se o doping n estável de WSe2 utilizando filmes finos de SiNx depositados na superfície através de deposição química a vapor com plasma. Centros de carga fixa positivos dentro do SiNx atuam para dopar flocos finos de WSe2 do tipo n via efeito induzido por campo. A concentração de elétrons em WSe2 pode ser bem controlada até o limite degenerado simplesmente ajustando a estequiometria do SiNx através dos parâmetros do processo de deposição. Para o limite de doping alto, a largura da barreira Schottky na junção metal/WSe2 é significativamente reduzida, permitindo uma injeção eficiente de elétrons via tunelamento. Usando este esquema de doping, demonstramos WSe2 n-MOSFETs estáveis ao ar com mobilidade de ∼70 cm²/V s.
Chen et al. (Terç,) estudaram essa questão.