Key points are not available for this paper at this time.
Transistores de Efeito de Campo Ferroelétricos No artigo número 2200566, Sungjoo Lee e colaboradores relatam sobre a fabricação e aplicação de um transistor ferroelétrico integrado com uma estrutura heterogênea de ferroelétricos de van der Waals (CuInP(2)S(6)/α‐In(2)Se(3)). Aproveitando a polarização aumentada oriunda do acoplamento dipolar, o dispositivo fabricado exibe uma grande janela de memória e características de memória não volátil com um longo tempo de retenção e resistência cíclica estável, proporcionando um caminho promissor para explorar ferroelettrônicos de baixa dimensão. Imagem: veja o texto
Baek et al. (Sex,) estudaram essa questão.