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O mecanismo de mudança de resistência de um sanduíche metálico/CuO/metálico com uma estrutura de dispositivo planar foi estudado. Relatamos a observação direta de uma ponte condutiva dentro do canal de CuO do dispositivo, que se forma após a aplicação inicial de tensão (processo de formação). Foi encontrado que o fenômeno de mudança de resistência ocorre apenas quando uma única ponte é formada durante uma quebra dielétrica suave. Argumentamos que a redução e oxidação desta ponte condutiva pela ação de um campo e/ou corrente aplicados dá origem a um novo efeito de memória não volátil. © 2008 The Japan Society of Applied Physics.
Fujiwara et al. (Sex,) estudaram esta questão.