Crescimento de Cristais de InSb Controlado pela Estrutura de Grãos: Uma Abordagem de Engenharia de Interface de Grains para Melhor Desempenho Termoelétrico

Key Points

• Esta pesquisa tem como objetivo melhorar o desempenho termoelétrico dos cristais de InSb por meio da engenharia de fronteira de grãos, controlando seu crescimento.
• Preparação de lingotes policristalinos de InSb utilizando o método de resfriamento por fusão direta sob diferentes taxas de resfriamento: resfriamento lento, resfriamento ao ar e resfriamento em água gelada.
• Analisou a estrutura cristalina e as interfaces de grãos para avaliar seu impacto nas propriedades termoelétricas.
• Melhoria significativa no desempenho termoelétrico observada com a estrutura de grãos otimizada.
• Ajustes na taxa de resfriamento resultaram em características de fronteira de grãos modificadas, influenciando a condutividade elétrica e térmica.