Absorção Óptica do Arseneto de Gálio entre 0,6 e 2,75 eV

O coeficiente de absorção óptica do arseneto de gálio de alta resistividade foi medido na faixa de energia de fóton de 0,6 a 2,75 eV, em temperaturas de 10 a 294^. A principal borda de absorção apresenta um pico acentuado devido à formação de excitons. A lacuna de energia e a energia de ligação do exciton são deduzidas da forma da curva de absorção acima da borda. Seus valores a 21^ são 1,521 e 0,0034 eV, respectivamente. A absorção da banda de valência separada é observada, sendo a divisão spin-órbita de 0,35 eV no centro da zona. A linha do exciton mostra uma estrutura inexplicada no lado de baixa energia. A aplicação de uma tensão divide a linha do exciton em 12 eV por unidade de cisalhamento 111 e a desloca em -10 eV por unidade de dilatação. A absorção devido à ionização de níveis de impureza profundos é observada, com limiares em 0,70, 0,49 e 0,27 eV a partir da borda de absorção principal.