Fotodetector de Grafeno/Silício de Alta Responsividade, Largura de Banda e Rápido em Modo de Fotocondução

Um fotodetector de resposta rápida é desenvolvido, que é altamente fotoresponsive e opera em uma largura de banda. Ele é fabricado utilizando uma combinação de grafeno utilizando deposição de vapor químico e silício, juntamente com a utilização de um modo de operação de fotocondução lateral. O fotodetector exibe alta responsividade de ≈1.0 × 10⁴ e ≈0.23 A W⁻¹ nas regiões visível (632 nm) e infravermelha (1550 nm), respectivamente. O tempo de resposta está abaixo de 3 μs em ambas as regiões espectrais. Como um serviço aos nossos autores e leitores, este jornal fornece informações de suporte fornecidas pelos autores. Esses materiais são revisados por pares e podem ser reorganizados para entrega online, mas não são editados ou formatados. Problemas de suporte técnico decorrentes de informações de suporte (exceto arquivos ausentes) devem ser endereçados aos autores. Observe: O editor não é responsável pelo conteúdo ou funcionalidade de qualquer informação de suporte fornecida pelos autores. Quaisquer perguntas (exceto sobre conteúdo ausente) devem ser direcionadas ao autor correspondente do artigo.