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Fabricamos transistores de filmes finos de polímero semicondutor usando um gel iônico (líquido iônico mais copolímero tribloqueado) como a camada dielétrica do gate. A capacitância do gate do gel iônico pode ser tão grande quanto 40 μF/cm² a 10 Hz e 2 μF/cm² a 1 kHz. Além disso, o tempo de resposta à polarização do gel iônico é muito mais rápido do que os eletrólitos de polímero sólido testados anteriormente, permitindo que os transistores controlados por gel iônico operem em frequências mais altas (>100 Hz).
Lee et al. (Sat,) estudaram essa questão.
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