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Os primeiros cálculos de energia total das barreiras para migração intersticial foram utilizados para estudar a migração do silício auto-intersticial. A migração ocorre através do caminho de baixa densidade eletrônica. A relaxação foi considerada importante para determinar a barreira tanto para Si^ (0) quanto para Si^ (++). A migração assistida por elétrons foi demonstrada. Descobriu-se que Si^ (++) tinha energia mais baixa no sítio tetraédrico, enquanto Si^ (0) possui energia mais baixa no sítio hexagonal.
Bar-Yam et al. (Mon,) estudaram esta questão.
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