Estrutura eletrônica dos compostos em camadas GaSe e InSe em uma abordagem de tight-binding

A estrutura de bandas tridimensionais dos compostos em camadas III-VI GaSe e InSe foi investigada na abordagem de tight-binding. Os elementos de matriz pseudo-Hamiltoniana na base sp^3s^* são ajustados para reproduzir a estrutura de bandas do pseudopotencial não local, dentro do framework de técnicas de otimização restrita utilizando o método do gradiente conjugado. Os resultados estão em boa concordância com os dados experimentais ópticos e de fotoemissão. As leis de escala apropriadas para a ligação covalente são violadas por uma fração de eV apenas, o que sugere que as interações entre camadas não são apenas do tipo van der Waals.