Controle de dopagem e injeção de portadores em transistores de nanotubos de carbono

Transistores de efeito de campo de nanotubos de carbono (CNTFETs) fabricados a partir de nanotubos cultivados são dispositivos unipolares do tipo p. Dois métodos para a conversão de dispositivos do tipo p para o tipo n são apresentados. O primeiro método envolve dopagem convencional com um doador de elétrons, enquanto o segundo consiste em recozimento dos contatos em vácuo para remover oxigênio adsorvido. Uma comparação desses métodos mostra diferenças fundamentais no mecanismo da transformação. A descoberta chave é que o principal efeito da adsorção de oxigênio não é dopar o volume do tubo, mas modificar as barreiras nos contatos metal–semicondutor. A concentração de oxigênio e o nível de dopagem do nanotubo são, portanto, complementares no controle das características do CNTFET. Finalmente, um método de controle individual das barreiras de contato por aquecimento local é demonstrado.