Dissipação devido a sistemas de dois níveis por tunelamento em ressonadores nanomecânicos de ouro

Apresentamos medidas da dissipação e deslocamento de frequência em ressonadores nanomecânicos de ouro a temperaturas de até 10 mK. Os ressonadores foram fabricados como vigas duas vezes presas acima de um substrato de GaAs e acionados magnetomotivamente. Medidas em vigas com frequências de 7,95 e 3,87 MHz revelaram que de 30 a 500 mK a dissipação aumenta com a temperatura como T^0,5, com a saturação ocorrendo em temperaturas mais altas. O deslocamento de frequência relativo dos ressonadores aumenta logaritmicamente com a temperatura até pelo menos 400 mK. Semelhanças com o comportamento de sólidos amorfos em volume sugerem que a dissipação em nossos ressonadores é dominada por sistemas de dois níveis.