Migração de lacunas de oxigênio e comportamento de corrente de fuga dependente do tempo de filmes finos de Ba0.3Sr0.7TiO3

A resposta da corrente de fuga de filmes finos de (Ba,Sr)TiO3 de alto tipo de permittividade crescidos em coluna foi estudada a temperaturas elevadas sob carga cc. Observamos uma corrente termicamente ativada antes do início da degradação da resistência com uma energia de ativação de EA=1.1eV. Um modelo de defeito pontual é aplicado para calcular a migração de defeitos eletrônicos e iônicos sob o campo cc, bem como a resposta de corrente do sistema. Descobrimos que o pico na corrente não é causado por um transiente limitado por carga de espaço de lacunas de oxigênio, mas está relacionado a uma modulação da condutividade eletrônica após a redistribuição de lacunas de oxigênio. Além disso, mostramos que após a redistribuição de defeitos eletrônicos e iônicos, não ocorre um aumento adicional na condutividade na simulação.