Cristalização de super-rede amorfa no limite de filmes ultrafinos com interfaces de óxido

O recozimento de multicamadas de Si/SiO₂ ou Ge/SiO₂ produz nanocristais embutidos entre interfaces de óxido. Verificou-se que a temperatura de cristalização é fortemente aumentada pela presença das interfaces de óxido e segue uma lei exponencial. A temperatura de cristalização aumenta rapidamente com a diminuição da espessura da camada de Si, e uma interface não estequiométrica diminui a temperatura de cristalização em comparação a uma interface estequiométrica da mesma espessura. Um modelo é apresentado que leva em conta as energias de interface, a espessura da camada, o ponto de fusão do sistema e a temperatura de cristalização da camada amorfa grossa. As evidências para um raio crítico de cristalização e a influência das desvios de uma interface estequiométrica perfeita são discutidas.