Um Transmissor de Array Faseado de 16 Elementos em Micro-ondas de Milímetro (40–45 GHz) na Tecnologia SiGe BiCMOS de 0,18 μm

Este artigo demonstra um transmissor de array faseado de 16 elementos em uma tecnologia padrão SiGe BiCMOS de 0,18 μm para aplicações de satélite na banda Q. O array transmissor é baseado na arquitetura totalmente RF com deslocadores de fase RF de 4 bits e uma rede de alimentação corporativa. Um divisor ativo 1:2 e dois divisores em tee passivos 1:8 constituem a rede de alimentação corporativa, e linhas de transmissão protegidas em três dimensões são usadas para o divisor passivo para minimizar a área. Todos os sinais são processados diferencialmente dentro do chip, exceto para as interfaces de entrada e saída. O transmissor de array faseado resulta em um ganho de potência médio de 12,5 dB por canal a 42,5 GHz, com uma largura de banda de ganho de 3 dB de 39,9-45,6 GHz. A variação de ganho RMS é de -1dB e -5±1,5 dBm, e a potência de saída saturada máxima é de -2,5±1,5 dBm por canal a 42,5 GHz. O transmissor mostra 2.