Uma revisão crítica dos offsets de banda de heterojunção

Trabalhos iniciais de Dingle e colegas sobre a heterojunção GaAs-(AlGa)As estabeleceram a fração da diferença do band gap que aparece na banda de condução como 0,85. As evidências experimentais e as técnicas que estabeleceram essa fração e as evidências subsequentes que levaram ao questionamento de sua aceitação anterior, quase universal, serão analisadas criticamente. A evidência experimental de que a razão de offset neste sistema depende da sequência de crescimento será discutida. Modelos teóricos existentes serão discutidos no contexto do trabalho experimental mencionado.