Determinação precisa da cinética de captura de portadores livres por armadilhas profundas por métodos de carga espacial

Uma análise detalhada das técnicas de polarização pulsada usadas para determinar a cinética de captura de portadores livres por armadilhas profundas em diodos Schottky ou junções bipolares assimétricas é apresentada. Tanto simulações exatas, envolvendo uma integração exata da equação de Poisson e um tratamento autoconsistente no caso de grandes concentrações de armadilhas profundas, quanto aproximações analíticas simples são fornecidas. A aproximação de depleção usual para a distribuição de portadores livres na cauda de Debye demonstra gerar resultados errôneos em algumas ocasiões e é mostrado como lidar de forma simples com a distribuição exata. Uma nova técnica experimental é proposta para extrair rigorosamente a cinética de captura exponencial no semicondutor neutro, a partir da cinética total de captura, eliminando a captura na cauda de Debye; também é mostrado como é possível obter uma estimativa correta da taxa de captura a partir da captura na cauda de Debye, quando a determinação direta pelo método mencionado acima é impossível.