Tecnologias de Filmes Finos de Carbeto de Silício: Avanços Recentes em Processamento, Propriedades e Aplicações - Parte I Deposição CVD Térmica e Plasma

Na Parte I de um relatório em duas partes, fornecemos uma revisão detalhada e sistemática dos últimos avanços em inovações de ponta para o sistema de material de carbeto de silício (SiC), com foco nas tecnologias de filmes finos por deposição química de vapor (CVD). Para esse fim, resultados atualizados tanto de desenvolvimentos incrementais em aplicações tradicionais de SiC quanto de grandes avanços em novos usos de SiC são resumidos. A ênfase é colocada em novas fontes químicas para Si e C, particularmente na forma de precursores de SiC de fonte única, bem como em técnicas emergentes de deposição em escala molecular e atômica, com especial atenção aos seus efeitos nas propriedades e desempenho do filme resultante. A revisão também abrange esforços relevantes de pesquisa e desenvolvimento, bem como seu potencial impacto e papel na introdução de novas aplicações tecnológicas. A Parte II se concentrará nas descobertas sobre deposição física de vapor (PVD) e outras técnicas de deposição.