Injeções de portadores de efeito de campo ambipolar em isolantes Mott orgânicos

Relatamos características de efeito de campo ambipolar observadas em estruturas de dispositivos de transistor de efeito de campo metal-isolante-semicondutor (MISFET) baseadas em cristais orgânicos de um único cristal do isolante Mott-Hubbard quasi-unidimensional (Q1D) (BEDT-TTF) (F₂TCNQ). Os principais aspectos das propriedades de efeito de campo medidas são bem descritos pelo modelo de FET de porta simétrica, que considera a simetria do dispositivo das estruturas de FET triodo. A natureza não linear dependente da temperatura nas características de corrente-tensão de porta indica que as injeções de portadores de efeito de campo ambipolar estão presentes até 20. 3em{0ex}0. 3em{0ex}0. 3em{0ex}K, onde o potencial da barreira de interface entre o eletrodo e o isolante Mott parece ser muito semelhante para injeções de lacunas e elétrons, em contraste acentuado com a situação envolvendo isolantes de banda.