Graças às suas avançadas propriedades elétricas ajustáveis, materiais bidimensionais emergiram como uma plataforma promissora para computação neuromórfica, oferecendo flexibilidade e escalabilidade únicas. Neste trabalho, relatamos a fabricação e caracterização experimental de transistores à base de MoS2 que exibem histerese anti-horária e plasticidade sináptica. Nossos dispositivos demonstram modulação de condutividade em múltiplos níveis sob excitação pulsada, e uma dependência pronunciada das tensões de limiar na taxa de varredura do sinal de porta aplicado. Um simulador numérico baseado em física é utilizado para racionalizar a histerese medida e o comportamento dependente da frequência, fornecendo mais insights sobre o mecanismo memristivo subjacente, ou seja, a migração retardada de íons de oxigênio. Além disso, simulações revelam que a migração de íons governa a plasticidade observada, permitindo o controle da modulação de corrente através da duração do pulso. Essas descobertas estabelecem a relevância da dinâmica iônica na formação do desempenho do dispositivo e destacam o potencial dos transistores à base de MoS2 para hardware de redes neurais artificiais.
Cuesta-Lopez et al. (Mon,) estudaram esta questão.