Obtenção de Nitreto de Nióbio em n-GaN pela Técnica de Nitratação Mediadas pela Superfície

Neste trabalho, a superfície n-GaN(1000) é usada como fonte de átomos de nitrogênio para obter filme de nitreto de nióbio por meio de uma técnica de nitratação mediada pela superfície. Para isso, a deposição física de vapor do filme de nióbio sobre GaN é seguida pelo recozimento da amostra a 1123 K. Uma decomposição induzida termicamente do GaN e fenômenos de mistura interfacial levam à formação de um composto de nitreto de nióbio, que contém Nb do filme fino e átomos de N do substrato. Os processos permitiram a obtenção de filmes ordenados de NbNx sobre GaN. Propriedades estruturais e químicas do substrato de GaN e dos filmes de NbNx foram estudadas in situ por técnicas sensíveis à superfície, ou seja, espectroscopias de fotoelétrons de raios-X e UV (XPS/UPS) e difração de elétrons de baixa energia (LEED). Em seguida, a morfologia da superfície NbNx/GaN foi investigada ex situ por microssopia de tunelamento por varredura (STM).