Operação em miliwatts de diodo emissor de luz de bem quântico único baseado em AlGaN na região ultravioleta

Ao introduzir uma camada ativa de bem quântico único e uma camada de bloqueio de portadores com alto teor de Al, a potência de saída de um diodo emissor de luz ultravioleta baseado em AlGaN foi melhorada em uma ordem de magnitude. Uma saída óptica de 1 mW foi alcançada no comprimento de onda de pico de emissão de 341–343 nm.