Zusammenfassung Diese Arbeit präsentiert die umfassende dosimetrische Charakterisierung eines p-n Siliziumkarbid (SiC) Detektors, der einem 320 kV p Röntgenstrahlenbündel ausgesetzt war, mit dem Ziel, sein Potenzial für präklinische und translationale medizinische Anwendungen zu bewerten. Der Detektor, basierend auf einer 10 μm dicken 4H-SiC-Epitaxialschicht, wurde hinsichtlich Linearität mit absorbierter Dosis, Abhängigkeit von der Dosisrate, Verteilung der prozentualen Tiefendosis (PDD), Variationen der Antwort bei unterschiedlicher Feldgröße sowie kurz- und langfristiger Reproduzierbarkeit bewertet. Die Ergebnisse zeigten eine hochgradig lineare Dosis-Antwort-Beziehung und vernachlässigbare Abhängigkeit von der Dosisrate im untersuchten Bereich. Das SiC-Gerät zeigte eine konsistente Leistung über verschiedene Feldgrößen und Eindringtiefen hinweg, was seine Eignung für eine genaue Dosimetrie bei Röntgenstrahlung mittlerer Energien hervorhebt. Aufgrund seiner breiten Bandlücke, geringen Leckströme, hohen Strahlentoleranz und nahezu gewebeäquivalenter Eigenschaften erscheint der charakterisierte SiC-Detektor als vielversprechende Alternative zu herkömmlichen dosimetrischen Systemen für radiobiologische Experimente und präklinische Qualitätssicherung in photonischen Strahlen mittlerer Energie.
Petringa et al. (Fr,) studierten diese Frage.