Verbesserte sequenziell bearbeitete Cu(In,Ga)(S,Se)2 durch Ag-Legierung

Die Legierung kleiner Mengen Silber in Cu(In,Ga)Se2 zeigt, dass die Effizienz für breite und niedrigbandige Solarzellen verbessert wird. Es werden niedrigbandige industrielle Cu(In,Ga)(S,Se)2-Absorber untersucht, indem weniger als 10 % des Kupfers durch Silber ersetzt werden, unter Verwendung von absoluter Photolumineszenz- und Kathodolumineszenzspektroskopie. Silber verbessert die Kornstruktur und fördert die Interdiffusion von Ga und In über die Tiefe des Absorbers, was zu einem gleichmäßigeren Bandgap-Gradienten führt. Allerdings wird eine gewisse laterale Inhomogenität in der Nähe der Vorder- und Rückseite beobachtet. Die nichtstrahlenden Verluste in den unbeschichteten Absorbern werden um bis zu 30 meV reduziert.