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Dieser Artikel untersucht die jüngsten Fortschritte im Bereich der antiferromagnetischen Spintronik aus der Perspektive der potenziellen Realisierung und Anwendungen von Geräten. Wir diskutieren Fortschritte in der elektrischen Steuerung der antiferromagnetischen Ordnung durch strominduzierte Spin-Bahn-Drehmomente, insbesondere in antiferromagnetischen Dünnschichten, die mit schweren Metallen interagieren. Wir überprüfen auch mögliche Szenarien für die Verwendung von spannungsgesteuerter magnetischer Anisotropie als einen effizienteren Mechanismus zur Kontrolle der antiferromagnetischen Ordnung in Dünnschichten mit senkrechter magnetischer Anisotropie. Als nächstes diskutieren wir das Problem der elektrischen Detektion (d.h. Auslesung) der antiferromagnetischen Ordnung und heben die jüngsten experimentellen Fortschritte bei der Realisierung anomaler Hall- und Tunnelmagnetowiderstandseffekte in Dünnschichten und Tunnelübergängen hervor, die auf nichtkollinearen Antiferromagneten basieren. Das Verständnis der Domänenstruktur und Dynamik antiferromagnetischer Materialien ist entscheidend für die Entwicklung ihrer Eigenschaften für Anwendungen. Aus diesem Grund geben wir dann einen Überblick über bildgebende Verfahren sowie mikromagnetische Simulationsansätze für Antiferromagnete. Schließlich geben wir eine Perspektive auf potenzielle Anwendungen von Antiferromagneten für magnetische Speichermedien, Terahertz-Quellen und Detektoren.
Amiri et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.