ZUSAMMENFASSUNG Die Lithographieausrichtung, ein Kernprozess in der Mikro-Nano-Fertigung, hat sich vom Mikrometerbereich in den Nanometer- und sogar Sub-Nanometerbereich entwickelt. Diese Fortschritte haben jedoch beispiellose Herausforderungen in Bezug auf Präzision, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit mit sich gebracht. Bei der Belichtung mehrerer Schichten ist die Lithographieausrichtung entscheidend für das Erreichen einer hochauflösenden und genauen Musterübertragung, die direkt die Geräteleistung und den Ertrag beeinflusst und letztlich die Gesamteffizienz und Effektivität des Lithographieprozesses bestimmt. Diese Überprüfung bietet einen umfassenden Überblick über die Entwicklung und die wichtigsten technologischen Fortschritte in der Lithographieausrichtung. Zunächst werden die jüngsten Durchbrüche bei der Optimierung von Ausrichtungsmarken, der Signalverbesserung und der Kompensation asymmetrischer Deformationen der Marke diskutiert. Anschließend wird die Entwicklung von Vor-Ausrichtung, grober Ausrichtung und feiner Ausrichtungstechnologien skizziert, einschließlich eines systematischen Vergleichs der von großen Lithographiemaschinenherstellern wie ASML, Nikon und Canon übernommenen Ausrichtungsstrategien. Anschließend werden die Grundprinzipien, Umsetzungen, Vorteile und Herausforderungen der Kerntechnologien, einschließlich interferometrischer Ausrichtung, bildverarbeitungsbasierter Ausrichtung und gittermodulierter Ausrichtung, überprüft. Darüber hinaus werden die Ausrichtungsanforderungen für fortgeschrittene Lithographietechnologien erörtert. Schließlich werden die offenen Herausforderungen im Zusammenhang mit der Lithographieausrichtung hervorgehoben, zusammen mit potenziellen zukünftigen Trends und Forschungsrichtungen. Diese Überprüfung trägt zur Literatur bei, indem sie die jüngsten Fortschritte konsolidiert und aktuelle Methoden der Lithographieausrichtung kritisch vergleicht.
Xu et al. (Sat,) untersuchten diese Frage.