Bandparameter für III–V-Verbindungshalbleiter und deren Legierungen

Wir präsentieren eine umfassende, aktuelle Zusammenstellung von Bandparametern für die technologisch wichtigen III–V-Zinkblende- und Wurtzit-Verbindungshalbleiter: GaAs, GaSb, GaP, GaN, AlAs, AlSb, AlP, AlN, InAs, InSb, InP und InN, sowie deren ternäre und quaternäre Legierungen. Basierend auf einer Überprüfung der bestehenden Literatur werden vollständige und konsistente Parametersätze für alle Materialien bereitgestellt. Mit einem Schwerpunkt auf den Größen, die für Bandstruktur-Berechnungen erforderlich sind, tabellieren wir die direkten und indirekten Energiedifferenzen, Spin-Bahn- und Kristallefeldspaltungen, Legierungsbiegungsparameter, effektive Massen für Elektronen, schwere, leichte und gespaltene Löcher, Luttinger-Parameter, Interbandimpuls-Matrixelemente und Deformationspotentiale, einschließlich Temperatur- und Legierungszusammensetzungsabhängigkeiten, soweit verfügbar. Heterostrukturbandversätze werden ebenfalls angegeben, auf einer absoluten Skala, die es ermöglicht, jedes Material relativ zu einem anderen auszurichten.