SiC- und GaN-Boost-Wandler mit oder ohne kryogene Spulen im Vergleich

Key Points

• Die Effizienz variiert erheblich zwischen SiC- und GaN-Boost-Wandlern, wenn kryogene Spulen eingesetzt werden.
• Die Leistungsanalyse zeigt, dass die Integration von kryogenen Spulen das thermische Management und die Gesamteffizienz verbessert.
• Die Bewertung beinhaltet direkte Vergleiche von Boost-Wandlern unter kontrollierten Bedingungen, wobei der Schwerpunkt auf thermischer und elektrischer Leistung liegt.
• Die Ergebnisse könnten Optimierungen im Design der Leistungselektronik nahelegen, um die Effizienz unter Verwendung kryogener Technologien zu verbessern.

Abstract