Temperaturabhängigkeiten der dielektrischen Funktion und kritischen Punkte von SnSe

Die temperaturabhängigen dielektrischen Funktionen des orthorhombischen Einkristalls SnSe wurden entlang der a-, b- und c-Achsen über den gesamten Temperaturbereich von 27 bis 350 K mittels spektroskopischer Ellipsometrie bestimmt. Intrinsische dielektrische Funktionen für jede Orientierung wurden durch mehrschichtige optische Modellierung extrahiert, um den Beitrag der Oberflächenrauigkeitsschicht zu entfernen. Die erhaltenen Spektren zeigen bemerkenswerte temperaturbedingte Verschiebungen und Verbreiterungen der Interband-Übergangsmerkmale. Eine Analyse der zweiten Ableitung unter Verwendung der standardmäßigen analytischen Expression wurde durchgeführt. Diese Analyse ermöglichte die Identifizierung von mehr als zehn kritischen Punkt (CP)-Übergängen für jede kristallographische Richtung. Die Temperaturabhängigkeit der CP-Energien wurde systematisch analysiert, was einen quantitativen Vergleich ihres anisotropen Verhaltens entlang der drei Hauptachsen erlaubte. Diese Ergebnisse liefern einen vollständigen, temperaturaufgelösten Satz dielektrischer Funktionen und Übergangsenergien für SnSe und bieten eine quantitative Referenz für optische Modellierung und geräteorientierte Anwendungen.