ZUSAMMENFASSUNG In dieser Studie wird die TCAD-Simulation verwendet, um das Indiumphosphid-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistor (InP HEMT) Gerät zu modellieren. Mit Sentaurus simulieren wir die Übertragungseigenschaften, Transkonduktanzkurven, Ausgangseigenschaften und S-Parameter des Geräts mit Variationen der Barrieredicke und Spacer-Dicke. Basierend auf diesen Simulationen diskutieren wir weiter die zugrunde liegenden Mechanismen, durch die Barrieredicke und Spacer-Dicke die elektrischen Eigenschaften von HEMT-Geräten beeinflussen. Die Ergebnisse zeigen, dass Variationen sowohl der Barrieredicke als auch der Spacer-Dicke die Übertragungs- und Ausgangseigenschaften des Geräts beeinflussen und auch Variationen der S-Parameter hervorrufen.
Wei et al. (Sun) haben diese Frage untersucht.