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Heterostrukturen, die auf der Schichtung von zweidimensionalen (2D) Materialien wie Graphen und hexagonalem Bornitrid basieren, stellen eine neue Klasse elektronischer Geräte dar. Das Verwirklichen dieses Potenzials hängt jedoch entscheidend von der Fähigkeit ab, qualitativ hochwertige elektrische Kontakte herzustellen. Hier berichten wir über eine Kontaktgeometrie, bei der wir nur die 1D-Kante einer 2D-Graphen-Schicht metallisieren. Neben der Überlegenheit gegenüber herkömmlichen Oberflächenkontakten ermöglicht die Kantenkontaktgeometrie eine vollständige Trennung der Schichtmontage und der Kontaktmetallisierungsprozesse. In Graphen-Heterostrukturen ermöglicht dies eine hohe elektronische Leistung, einschließlich eines ballistischen Transports bei niedrigen Temperaturen über Entfernungen von mehr als 15 Mikrometern und einer Mobilität bei Raumtemperatur, die mit dem theoretischen Grenzwert der Phononstreuung vergleichbar ist. Die Kantenkontaktgeometrie bietet neue Gestaltungsmöglichkeiten für geschichtete Strukturen komplementärer 2D-Materialien.
Wang et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.