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Hocheffiziente und stabile Breitband-Nahinfrarot (NIR) Emissionsphosphore sind entscheidend für den Bau von Smart Lighting-Quellen der nächsten Generation; jedoch bleibt die Entdeckung gezielter Phosphore eine große Herausforderung. Durch die interstitielle Li+ Besetzung wird eine relativ große verzerrte oktaedrische Umgebung für Cr3+ erzeugt und die nicht-radiative Entspannung der Emissionszentren unterdrückt, was zu einem NIR-emittierenden Fluoridphosphor Na3GaF6:Cr3+,Li+ führt, der bei 758 nm mit einer hohen internen quantenmechanischen Effizienz von 95,8 % und einer externen quantenmechanischen Effizienz von 38,3 % Spitzenleistungen erzielt. Darüber hinaus zeigt es eine gute thermische Stabilität (84,9 % @ 150 °C der integrierten Emissionsintensität bei 25 °C) und ausgezeichnete Feuchtigkeitsbeständigkeit. Eine Hochleistungs-LED mit einem Rekordwert an NIR-Ausgang (974,12 mW) und einer photoelektrischen Umwandlungseffizienz von 20,9 % wird durch die Kombination von Na3GaF6:Cr3+,Li+ und einem blauen InGaN-Chip demonstriert, und eine spezielle Informationsverschlüsselungs-/entschlüsselungstechnologie, die für eine schnelle und langfristige Identifizierung von Maschinen geeignet ist, wird auf Basis dieses Geräts weiter vorgestellt. Diese Studie fördert nicht nur die Entwicklung effizienter NIR-emittierender Phosphore für Breitband-NIR-LEDs, sondern auch für NIR-verwandte aufkommende Anwendungen und Geräte.
He et al. (Samstag) haben diese Frage untersucht.