Induktiv gekoppeltes Plasmaätzen von GaN mit Cl2/Ar- und Cl2/N2-Gasen

Diese Arbeit untersucht die Prozesse des induktiv gekoppelten Plasmaätzens (ICP) von GaN. Die Ätzverhalten werden auch durch Variation der ICP-Leistung, des Mischungsverhältnisses von Cl2/Ar oder Cl2/N2, der Radiofrequenzleistung (rf) und des Kammerdrucks charakterisiert. Experimentelle Ergebnisse zeigen, dass die Ätzprofile über den Bereich der Ätzbedingungen stark anisotrop sind. Maximale Ätzraten von 8200 Å/min im Cl2/Ar-Plasma und 8330 Å/min im Cl2/N2-Plasma werden ebenfalls erreicht. Darüber hinaus beeinflussen Druck, ICP-Leistung, Cl2/Ar(N2)-Durchflussverhältnis und rf-Leistung die Ätzrate und die Oberflächenmorphologie erheblich. Insbesondere beeinflusst der Gleichstrombias die Ätzraten stark, was darauf hindeutet, dass der Ionenbombardement-Effekt ein wichtiger Faktor dieser Ätzprozesse ist.