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Dieses Papier überprüft die jüngsten Fortschritte bei binären metallischen Oxidwiderstandswechsel-RAM und konzentriert sich auf dessen Anwendungen und Herausforderungen.

May 25, 2012Proceedings of the IEEE2,714 citations

Metall–Oxid RRAM

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HWH.-S. Philip Wong HLHeng-Yuan Lee SYShimeng Yu

Key Points

Dieses Papier überprüft die jüngsten Fortschritte bei binären metallischen Oxidwiderstandswechsel-RAM und konzentriert sich auf dessen Anwendungen und Herausforderungen.
Überprüfung der physikalischen Mechanismen und Materialeigenschaften von binären metallischen Oxid-RRAM
Diskussion über elektrische Eigenschaften und großflächige RRAM-Arrays
Analyse von Themen wie Einheitlichkeit, Lebensdauer, Beibehaltung, Multibit-Betrieb und Skalierungstrends.
Wesentliche Herausforderungen wie Einheitlichkeit und Lebensdauer in der RRAM-Technologie identifiziert.
Fortschritte in den Materialeigenschaften hervorgehoben, die die Leistung für nichtflüchtige Speicheranwendungen verbessern.
Trends und Entwicklungen bei großflächigen RRAM-Arrays für verbesserte Speichereffizienz diskutiert.

Abstract

In diesem Papier wird der aktuelle Fortschritt der binären metallischen Oxidwiderstandswechsel-RAM (RRAM) überprüft. Der physikalische Mechanismus, die Materialeigenschaften und die elektrischen Eigenschaften einer Vielzahl von binären metallischen Oxid-RRAM werden diskutiert, mit einem Fokus auf die Verwendung von RRAM für nichtflüchtige Speicheranwendungen. Es wird ein Überblick über die zuletzt entwickelten großflächigen RRAM-Arrays gegeben. Themen wie Einheitlichkeit, Lebensdauer, Beibehaltung, Multibit-Betrieb und Skalierungstrends werden diskutiert.

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