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Zusammenfassung Aufgrund seiner bedeutenden Anwendungen in vielen relevanten Bereichen ist die Lichtdetektion im solarblinden tiefultravioletten (DUV) Wellenlängenbereich ein Thema von großem Interesse sowohl für die wissenschaftliche als auch für die industrielle Gemeinschaft. Die schnellen Fortschritte bei der Herstellung von Hochleistungsultrawideband-Gap (UWBG) Halbleitern haben die Realisierung verschiedener leistungsstarker DUV-Photodetektoren (DUVPDs) mit unterschiedlichen Geometrien ermöglicht, die einen Weg bieten, zahlreiche Nachteile traditioneller DUV-Detektoren zu umgehen. Dieser Artikel bietet einen umfassenden Überblick über die Anwendungen anorganischer UWBG-Halbleiter zur solarblinden DUV-Lichtdetektion in den letzten Jahrzehnten. Verschiedene Arten von DUVPDs, die auf unterschiedlichen UWBG-Halbleitern basieren, darunter Ga2O3, MgXZn1−xO, III-Nitridverbindungen (AlxGa1−xN/AlN und BN), Diamant usw., vorgestellt und systematisch diskutiert. Es werden auch einige aufkommende Techniken zur Optimierung der Geräteleistung angesprochen. Schließlich werden die bestehenden Techniken zusammengefasst und zukünftige Herausforderungen vorgeschlagen, um Entwicklungen in diesem kritischen Forschungsfeld zu beleuchten.
Xie et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.