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Eine umfassende Übersicht über die grundlegenden elektronischen Eigenschaften von zweidimensionalem Graphen mit Schwerpunkt auf der dichten und temperaturabhängigen Transporte von Ladungsträgern in dotierten oder gesteuerten Graphenstrukturen wird bereitgestellt. Ein herausragendes Merkmal dieser Übersicht ist ein kritischer Vergleich zwischen dem Trägertransport in Graphen und in zweidimensionalen Halbleitersystemen (z. B. Heterostrukturen, Quantenpunkte, Inversionsschichten), sodass die einzigartigen Eigenschaften der elektronischen Eigenschaften von Graphen, die aus seinem gaplosen, masselosen, chiralen Diracspektrum resultieren, hervorgehoben werden. Experiment und Theorie sowie quantenmechanischer und halbklassischer Transport werden in synergistischer Weise behandelt, um eine einheitliche und umfassende Perspektive zu bieten. Obwohl der Schwerpunkt der Übersicht auf den Aspekten des Graphentransports liegt, zu denen in der Literatur ein angemessener Konsens besteht, werden auch offene Fragen diskutiert. Verschiedene physikalische Mechanismen, die den Transport steuern, werden eingehend beschrieben, einschließlich langreichweitiger geladener Unreinheitstreuung, Screening, kurzreichweitiger Defektsstreuung, Phononstreuung, Viele-Körper-Effekte, Klein-Tunnelung, minimale Leitfähigkeit am Dirac-Punkt, Elektron-Loch-Pfützenbildung, p-n-Übergänge, Lokalisierung, Perkolation, Quanten-klassischer Übergang, Zwischenzustände und Quanten-Hall-Effekte sowie andere Phänomene.
Sarma et al. (Mon.) haben diese Frage untersucht.