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Die Modulation des Ladungsträgers wird in 2D-Übergangsmetall-Dichalkogeniden demonstriert, da n-Typ Monolayer MoSe2 durch isoelectronische Dotierung in nichtdegenarierten p-Typ Monolayer Mo1-x Wx Se2 umgewandelt wird. Obwohl die Legierungen mesoskopisch homogen sind, scheint die p-Typ-Leitfähigkeit in Monolayer Mo1-x Wx Se2 von der Anhebung des Valenzbandmaximums in Richtung des Fermi-Niveaus in hochgradig lokalisierten "W-reichen" Regionen im Gitter auszugehen.
Li et al. (Mittwoch) untersuchten diese Frage.
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