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Die Suche nach niedrigem Stromverbrauch wird in neu aufkommenden Anwendungsbereichen, die mit tragbaren Geräten im Internet der Dinge verbunden sind, äußerst wichtig. Hier berichten wir über ein Schottky-Barriere Indium-Gallium-Zink-Oxid Dünnfilmtransistor, der im tiefen Subthreshold-Bereich (d.h. nahe dem OFF-Zustand) bei niedrigen Betriebsspannungen (400) arbeitet und sowohl von der Bias- als auch von der Geometrie unabhängig ist. Der hier berichtete Transistor ist nützlich für Sensor-Schnittstellenschaltungen in tragbaren Geräten, in denen hohe Stromempfindlichkeit und ultraniedriger Stromverbrauch für einen betrieb ohne Batterie entscheidend sind.
Lee et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.