Key points are not available for this paper at this time.
In diesem Artikel wurde die physikalische Bedeutung der virtuellen Sperrschichttemperatur, die durch die VCE(T)-Methode für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) bestimmt wird, insbesondere die Mittelungsmechanismen, eingehend untersucht, um die Frage zu beantworten, welcher physikalisch sinnvolle Wert des Chips mit der virtuellen Sperrschichttemperatur verbunden ist. Eine Kombination aus theoretischer Analyse und elektrothermischer Simulation wird durchgeführt, um den Einfluss des Temperaturgradienten auf die virtuelle Sperrschichttemperatur, einschließlich vertikalem und lateralem Gradient, zu diskutieren. Darüber hinaus werden die Mittelungsmechanismen der virtuellen Sperrschichttemperatur untersucht und durch effektive experimentelle Ergebnisse verifiziert. Die Ergebnisse zeigen, dass die virtuelle Sperrschichttemperatur kein fester Wert ist, sondern ein Wert, der mit dem Messstrom verbunden ist und weder die arealgewichtete Durchschnittstemperatur noch die stromgewichtete Durchschnittstemperatur ist, sondern irgendwo dazwischen liegt. Dies bietet einen Leitfaden zum Verständnis der virtuellen Sperrschichttemperatur in der Messung und zur Definition der virtuellen Sperrschichttemperatur in der Finite-Elemente-Modell (FEM)-Simulation.
Chen et al. (Mittwoch) haben diese Frage untersucht.