Fern epitaxiale Wechselwirkung durch Graphen

auf strukturiertem Graphen, um eine Bedingung für die Minimierung des epitaxialen lateralen Überwachsens zu schaffen. Durch die Beobachtung ganzer nanoskaliger Kerne, die auf pinhole-freiem Graphen gewachsen sind und die mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie bestätigt wurden, bestätigen wir visuell, dass die Fern-Epitaxie auf atomarer Ebene wirksam ist. Makroskopisch zeigen wir auch Variationen in der Dichte von GaN-Mikrokristall-Arrays, die von der Ionizität der Substrate und der Anzahl der Graphenschichten abhängen.