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Als die praktischste Lösung jenseits der FinFET-Technologie wird eine Gate-All-Around Multi-Bridge-Channel MOSFET (MBCFET)-Technologie erfolgreich demonstriert, die einen funktionierenden hochdichten SRAM umfasst. MBCFETs werden mit 90 % oder mehr der FinFET-Prozesse unter Verwendung nur weniger überarbeiteter Masken hergestellt, was eine einfache Migration vom FinFET-Prozess ermöglicht. Nicht nur das Ziel wird erreicht, sondern es werden auch mehrere Vt in herausfordernd engen vertikalen Abständen zwischen den Kanälen erreicht. Auch die Zuverlässigkeit von MBCFETs ist mit der von FinFETs vergleichbar. Drei repräsentative überlegene Eigenschaften von MBCFET im Vergleich zu FinFET wurden demonstriert – bessere Gate-Kontrolle mit 65 mV/dec Subthreshold-Swing (SS) bei kurzer Gate-Länge, höhere DC-Leistung mit einer größeren effektiven Kanalbreite (Weff) bei Referenz-Footprint und Entwurfsflexibilität mit variablen Nanosheet (NS)-Breiten. Die Optimierung des Standardzellen-Designs durch Verwendung variabler NS-Breiten wird bewertet. Der Nutzen von MBCFET als leistungsstarker Mehrzweckanbieter wird durch die Modulation von effektiver Kapazität (Ceff), effektiver Widerstand (Reff) und Frequenz durch Weff-Kontrolle nachgewiesen. Schließlich wird die Machbarkeit der Massenproduktion mit MBCFET durch einen voll funktionsfähigen hochdichten SRAM-Schaltkreis nachgewiesen.
Bae et al. (Sat,) haben diese Frage untersucht.