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Polytyp-Heterostrukturen aus GaSb/AlSb/InAs zeigen Interbandtunneling aufgrund der 0,1 eV Überlappung des Leitungsbandes von InAs und des Valenzbandes von GaSb. Diese gebrochene Bandkonfiguration führt zu einem neuartigen Mechanismus für negative differentielle Widerstände, der potenzielle Anwendungen in Hochgeschwindigkeitsgeräten hat. Wir haben erstmals Interbandtunneling in Einzelbarrieren- und Doppelbarrieren-Polytyp-Heterostrukturen nachgewiesen. Einzelbarrieren-Strukturen zeigen negative differentielle Widerstände aufgrund der Veränderung des Interbandtunnelings mit angelegtem Bias. In diesem Fall wurde ein Spitzen-zu-Tal-Verhältnis von 2,7:1 bei 77 K festgestellt. Doppelbarrieren-Strukturen, die ein InAs-Quantenwells verwenden, zeigen resonantes Interbandtunneling mit einem Spitzen-zu-Tal-Stromverhältnis von mehr als 60:1 bei 77 K. Diese Struktur ist vielversprechend für Anwendungen in dreipoligen Geräten aufgrund des sehr breiten Quantenwells, das erreicht werden kann.
Luo et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.