Luftstabile, lösungsprozessierbare n-Kanal- und ambipolare Halbleiter für Dünnfilmtransistoren auf Basis des Indenofluorenebis(dicyanovinylene)-Kerns

Hier präsentieren wir die Synthese, Charakterisierung und den Feldeffektleistungsbereich eines neuartigen n-Kanal-halbleitenden Moleküls TIFDMT sowie des entsprechenden thiophenbasierten Copolymers P-IFDMT4, basierend auf dem Indenofluorenebis(dicyanovinylene)-Kern. Auf Spinbeschichtung basierende, mit TIFDMT gefertigte Feldeffekttransistoren zeigen hohe Elektronenmobilitäten von 0,10-0,16 cm²/V s in der Luft, niedrige Einschaltspannungen (0 bis +5 V) und hohe On/Off-Verhältnisse von 10⁷-10⁸. Diese Geräte zeigen auch hervorragende Luftstabilität über einen längeren Zeitraum der Lagerung unter Umgebungsbedingungen. P-IFDMT4-basierte Geräte stellen das erste Beispiel eines luftstabilen ambipolaren Polymers dar, das lösungsprozessierbar ist.