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Die Manipulation der intrinsischen elektronischen Strukturen durch Elektronen- oder Lochdoping auf kontrollierte Weise in van-der-Waals-geschichteten Materialien ist der Schlüssel zur Kontrolle ihrer elektrischen und optischen Eigenschaften. Der zweidimensionale Indiumselenid (InSe) Halbleiter hat aufgrund seiner direkten Bandlücke und ultrahohen Mobilität als vielversprechendes Material für optoelektronische Geräte Aufmerksamkeit erregt. In dieser Arbeit manipulieren wir die elektronische Struktur von InSe durch in situ Oberflächen-Elektronendoping und erhalten eine signifikante Renormalisierung der Bandlücke von ∼120 meV, die direkt durch hochauflösende winkelaufgelöste Photoemissionsspektroskopie beobachtet wurde. Dieses moderate Dopingniveau (Trägerkonzentration von 8,1 × 10¹² cm⁻²) kann durch elektrische Gatter in Feldeffekttransistoren erreicht werden, was das Potenzial zur Gestaltung von Geräten mit breiter spektraler Ansprechbarkeit demonstriert.
Zhang et al. (Mittwoch) haben diese Frage untersucht.