Einflussionisation in dünnen AlxGa1−xAs (x=0.15 und 0.30) p-i-n-Dioden

Die Elektronen- und Löchervervielfältigungsmerkmale, Me und Mh, wurden in zwei Reihen von AlxGa1−xAs (x=0.15 und 0.30) p-i-n-Dioden gemessen, bei denen die Dicke der i-Region, w, von 1,0 bis 0,025 μm variiert. Daraus wurden die effektiven Elektronen- und Löcherionisationskoeffizienten, α und β, bestimmt und in den dickeren Strukturen wurde Übereinstimmung mit zuvor veröffentlichten Daten in der Literatur gefunden. In den Geräten, bei denen w⩽0,1 μm ist, reduziert der Totraum-Effekt die Vervielfältigung unter ihre Bulk-Werte bei niedrigeren Bias-Werten. Mit zunehmendem Bias steigen α und β sehr schnell, was darauf hindeutet, dass Überschießeffekte den Totraum kompensieren.