Energie- und effektive Massenabhängigkeit des Elektronentunnelns durch multiple Quantensperren in verschiedenen Heterostrukturen

Das Tunnelverhalten von Elektronen durch die Barrieren in Heterostrukturen wurde im Rahmen eines einheitlichen Übertragungsmatrixansatzes untersucht. Der Einfluss der Barrieredicke auf den Transmissionkoeffizienten der Elektronen wurde für Paare von Halbleitermaterialien untersucht, die zunehmend an Bedeutung gewinnen. Diese Paare umfassen CdS/CdSe, AlGaAs/GaAs und InAs/AlSb. Die Barrieren wurden von 20 nm auf 5 nm reduziert, um den Einfluss der Skalierung der Tunneling-Eigenschaften zu beobachten. Die materialabhängigen Eigenschaften werden für Elektronen hervorgehoben, deren Energie von unterhalb bis oberhalb der Barriereshöhe variiert. Die Elektronenmasse innerhalb der Barriere und des Quellbereichs ist oft unterschiedlich. Die Ergebnisse zeigen, dass der Kopplungseffekt zu signifikanten Änderungen der Transmission führt. Der effektive massenabhängige Transmissionkoeffizient wurde in Bezug auf die Elektronenenergie untersucht. Die Berechnung basiert auf der Matrixmethode unter Verwendung von MATLAB.