Ramanverstärkung in ultrasmalls Silizium-on-Insulator-Drahtwellenleitern

Wir messen die stimulierte Ramanverstärkung bei 1550 nm in einem ultrasmall SOI-Streifenwellenleiter mit einem Querschnitt von 0,098 Mikrom². Wir erzielen eine Signalverstärkung von bis zu 0,7 dB in der gegenläufigen Konfiguration für eine Probenlänge von 4,2 mm und unter Verwendung einer Diodenpumpe bei 1435 nm mit Leistungen von <30 mW. Der Ramanverstärker hat eine Kennzahl (FOM) von 57,47 dB/cm/W. Diese Arbeit zeigt die Machbarkeit ultrasmall SOI-Wellenleiter für die Entwicklung von SOI-basierten On-Chip-Optikverstärkern und aktiven photonischen integrierten Schaltungen.