Leistung von dünnen wasserstoffhaltigen amorphen Silizium-Dünnfilmtransistoren

In dieser Arbeit haben wir den Einfluss der Maskenkanaillänge (LM) auf die Leistung der 55-nm-wasserstoffhaltigen amorphen Silizium (a-Si:H) Dünnfilmtransistoren (TFTs) analysiert, die ein stickstoffreiches wasserstoffhaltiges amorphes Siliziumnitrid-Gate-Dielektrikum und phosphorusdotierte mikrokristalline Silizium (n+μc-Si:H) Source/Drain (S/D) Kontakte enthalten. In unseren TFTs haben die n+μc-Si:H S/D Kontakte einen spezifischen Kontaktwiderstand von etwa oder unter 0,5 Ω cm². Wir haben gezeigt, dass in unseren TFTs die Feldeffektmobiltät und die Schwellenspannung von LM abhängen, und diese Abhängigkeit wahrscheinlich auf den Einfluss des Serienwiderstands der S/D Kontakte auf die Eigenschaften der TFTs zurückzuführen ist. Schließlich haben wir demonstriert, dass, wenn die Maskenkanaillänge um ein ΔL (was ein Abstand von der S/D-Via-Kante ist, an dem die Elektroneneinspritzung/-sammlung stattfindet) erweitert wird, die Feldeffektmobiltät und die Schwellenspannung unabhängig von der Kanaillänge sind. In einem solchen Fall wurden μFE, VT und das ON/OFF-Stromverhältnis von etwa 0,76 cm²/V s, 2,5 V und 10⁷ erhalten.