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Zusammenfassung Hier wird erstmals berichtet, dass ein selbstbetriebsfotodetektor, der auf einer vertikalen MoS2/CH3NH3PbI3-Heterojunktion basiert, eine Empfindlichkeit von 60 mAW −1 und Reaktions-/Erholungszeiten von 2149/899 ms aufweist. Unter Vorspannung zeigt er ein Fotoschaltverhältnis von über 1522, schnelle Reaktions-/Erholungszeiten von 205/206 ms und eine hohe Fotoempfindlichkeit von 68,11 AW −1. Die optoelektronischen Eigenschaften des Fotodetektors hängen eng mit der Art der MoS2/CH3NH3PbI3-Heterojunktion zusammen, die als Transportfeld für Löcher (Elektronen) fungiert und die Rekombination von Löchern und Elektronen effektiv vermindern kann. Darüber hinaus wird auch die planare MoS2/CH3NH3PbI3-Heterojunktion aufgebaut, um sie mit der vertikalen Art im Hinblick auf optoelektronische Eigenschaften zu vergleichen. Aufgrund des Vorhandenseins eines internen Feldes sind die Eigenschaften des vertikalen Fotodetektors besser als die der planaren Art, die jedoch ebenfalls eine gute Leistung mit einem Ein-/Ausschaltverhältnis von bis zu 1476, einer Fotoempfindlichkeit von 28 AW −1 und einer Reaktionsgeschwindigkeit von 356/204 ms zeigt. Diese Ergebnisse bahnen einen neuen Weg zur Bildung einer ultrahochleistungsfähigen MoS2/CH3NH3PbI3-Heterojunktion, versprechen den Bau eines selbstbetriebsfotodetektors und entwickeln vielversprechende atomar dünne MoS2-Heterostrukturgeräte für photovoltaische und optoelektronische Anwendungen.
Bai et al. (Mon,) untersuchten diese Frage.